较广为世人所知的诺贝尔奖(Nobel prize)，分为物理、化学与生理学/医学等奖项，但与工程较不相关。在2009年，Willard Boyle与George Smith因发明了可应用于癌症诊断甚至将火星表面图片传回地球的CCD感光元件，而获得诺贝尔物理奖；但可以说，DRAM、闪存的发明，其实对我们的生活有更重大的影响。

　　可惜无论是Dennard或是闪存发明人Fujio Masuoka ，都没有获得诺贝尔奖提名。也许你会说，理由可能是以上两位都是经过训练的工程师，但诺贝尔物理奖表扬的对象是物理学家，但2000年诺贝尔物理奖得主之一Jack Kilby，也是一位经过训练的IC工程师…所以，为何Dennard与Masuoka的成就不能被认可？是因为他们所从事的研究不够“理论性”吗？

　　别误会，我不是反物理学；事实上我的本科就是物理学(而且我很多好朋友都是物理学家)，而且我原本是选读电子工程(EE)，但却在念了一年之后决定换跑道，原因与并联电阻(resistors in parallel)有关。在电子工程教科书上，两个并联电阻的等效电阻(equivalent resistance)公式为：Rtot = R1R2/(R1+R2)；但在物理学教科书上，并联电阻则是1/R。我发现我比较喜欢去了解整体性的关系，而不是只聚焦在单一实例。

　　你也听过，给某人鱼吃，你只能喂饱他一餐，但教他如何钓鱼，你可以让他一辈子有东西吃。教一位物理学家钓鱼，他会分析其中的过程并导出一堆方程式，描述鱼钩在铸造过程中的弧度、水面浮标的运动，甚至是鱼饵如何在阳光下闪着光芒…等等；而若你教一位工程师如何钓鱼，他会发明出一套能供应整个城市的钓鱼机器。

　　这也就是诺贝尔物理奖的问题所在。没错，DRAM与闪存是建基于晶体管的发展，而后者的发明人Bardeen、Brattain与Shockley已经获得诺贝尔奖表扬，但我还是认为DRAM与闪存应该是完全独立的个案，那两位发明人的成就应该要获得认可。明年的诺贝尔物理奖有很大的可能性是由希格斯玻色子(Higgs boson)研究夺得，但应该还是有那么一点空间让存储器技术有机会站上受奖台吧？

　　所以，诺贝尔奖老是“失忆”，这到底是怎么一回事？请评审委员会给个解释吧！

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