在发表全世界第一颗单晶体管DRAM元件之后40年，IBM院士Robert Heath Dennard成为2013年度日本“京都赏(Kyoto Prize)”的先进技术(advanced technology)获奖人，表彰他在存储器技术开发与半导体制程微缩方面的成就。

　　1967年的某一天，Dennard结束一场在IBM举行的全天研讨会回到家，坐在客厅里仔细回想所看到的磁芯存储器(magnetic-core memory)技术简报；当时他的研究工作锁定六晶体管(six-transistor)MOS半导体存储器，基于“奥坎简化论(Occam's Razor)”，他正在寻找的就是像磁芯设计那么简单的东西。于是在那个晚上，Dennard有了开发单晶体管架构存储器的点子。

　　当他一构想出该技术的可能性，兴奋地在晚上10点打电话给他老板时，却被浇了一桶冷水；Dennard回忆，他老板当时的回应依稀是：“去吃两片阿斯匹灵，明天早上再打给我。”

　　而Dennard所获得的“京都赏”不只是表扬他发明DRAM的成就；在1970与1980年代，他参与了开发MOSFET微缩方程式(scaling equations)，在特征尺寸缩小时描述电流、功率与功率延迟乘积( power-delay product，PDP)的变化。这项成就催生了后来尺寸更精巧、更经济且可靠的存储器，甚至是更高性能的处理器。

　　总而言之，Dennard的成就对人类成就的各个层面带来巨大的影响，包括通讯、医疗保健、保全与国防、交通、娱乐、科学、制造，甚至是全球经济。

　　“京都赏”是由日本企业家稻盛和夫(Kazuo Inamori)与稻盛基金会(Inamori Foundation)在1985年设立，每年在先进技术、基础科学、美术与哲学等领域表扬杰出人士，有“东方诺贝尔奖”的称号。而由于“京都赏”除了有基础科学奖项，也针对改变世界的关键技术设立奖项，因此感觉更具意义。

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