东芝公司(Toshiba)宣布将在今年八月激活位于日本三重县四日市的 Fab 5 新厂第二期工程，准备增加NAND闪存的制造产能，同时转移至3D NAND生产。

　　 这项工程预计将在2014年夏天完成，东芝强调，目前尚未决定任何设备投资等细节，但未来将视市场动向而定。这表示东芝为该新厂的资本支出规模与速度，将取决于市况而调整。

　　 在 2012年7月，东芝曾经因考虑到市场供过于求以及芯片降价压力，因而削减30%的 NAND 闪存产量。然而，在不到六个星期的时间，NAND闪存的一些客户们就开始抱怨内存芯片不足，而多年来持续降价的NAND芯片在2013年开始止跌回升。此外，日圆走软也让东芝较三星和SK海力士等竞争对手取得更佳优势。

　　 Fab5厂的第二期工程将更强调减少对于环境的影响。相较于同样位于四日市的Fab 4厂，Fab5厂采用余热回收等基于LED照明和节能的生产方式，可望降低13%的二氧化碳排放量。

　　 Fab 5厂第2期工程预计在装机后，可望执行东芝多层 BICS (位成本可扩展的) 3D NAND 内存制造制程。虽然这种技术目前尚未量产，但东芝将能主导 3D NAND 制造地位。2012年底，该公司曾宣布开发出基于50nm垂直信道的16层原型设备，今年已可提供样片，并预计在2015年量产。

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