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IC业发展模式将迎来新一轮变革

  发布时间:11-15

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核心提示:从目前掌握的情况看,要实现异质架构的、不同IC之间的真正3D封装,至少还需要3~4年的时间。无论是2.5D还是3D,各种TSV封装技术的

 

从目前掌握的情况看,要实现异质架构的、不同IC之间的真正3D封装,至少还需要3~4年的时间。无论是2.5D还是3D,各种TSV封装技术的成功量产商用,将会带来一种新的游戏规则。在摩尔定律越来越难走、新的半导体工艺迈向1xnm越来越昂贵的今天,封装革命已是一种最好的超越对手的方式。

 

 

  半导体业已经迈入14nm制程,2014年开始量产。如果从工艺制程节点来说,传统的光学光刻193nm浸液式采用两次或者四次图形曝光(DP)技术可能达到10nm,这意味着如果EUV技术再次推迟应用,到2015年制程将暂时在10nm徘徊。除非等到EUV技术成熟,制程才能再继续缩小下去。依目前的态势,即便EUV成功也顶多还有两个台阶可上,即7nm或者5nm。因为按理论测算,在5nm时可能器件已达到物理极限。

  工艺尺寸缩小仅是手段之一,不是最终目标。众所周知,推动市场进步的是终端电子产品的市场需求,向着更小、更轻、更低成本、更易使用的方向迈进。IDC于今年发布的关于2020年时全球智能设备的预测数据显示,一是互联网使用人数将达40亿,二是产业销售额达4万亿美元,三是嵌入式终端装置达250亿台,四是需要处理的数据量达50万亿GB,五是全球应用达到2500万个。

  近段时间以来,全球能够继续跟踪先进制程的厂家数量越来越少,集中在几家龙头大厂,分别为做逻辑的英特尔,做存储器的三星、SK海力士、东芝、闪迪以及做代工的TSMC、格罗方德等,业界盛传的三足鼎立架构已经基本形成。它们发展的驱动力主要是为了保持龙头地位,防止追随者超过它们。所以在大多情况下,它们的持续投资与跟进是必需的,虽与工艺尺寸缩小的驱动力有关,但并不明显。因为即便摩尔定律已到达终点,对于它们的影响都甚微。

  另外,除了FinFET(3D)、UT SOI(超薄绝缘层上硅)等工艺之外,从产业链角度来说,在未来的10年间全球半导体业中尚有三大技术,可能推动产业实现又一轮高增长,包括450mm硅片、EUV光刻及TSV的2.5D和3D封装,它们都涉及整个产业链协作问题,非单个企业的能力能解决。

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