双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术，使电容具低感抗，多条引线设计，可承受更高纹波电流，高du/dv以及高过压能力。用于各类IGBT缓冲线路突波吸收，各类高频谐振线路。

　　电容结构:双层金属化膜，内部串联结构

　　封装:阻燃塑胶外壳，环氧树脂封装，符合(UL94V-0)标准.

　　尺寸:适合于各种IGBT保护。>吸收电容的技术参数

　　电容量:0.0047to6.8μF

　　额定电压:700to3000Vdc

　　损耗角正切:

　　测试条件1000±20Hz，25±5℃.

　　Cr≤1.0μF，4×10-4；Cr>1.0μF，6×10-4

　　绝缘电阻:3000s，s=MΩ.μF

　　测试条件1minute，100Vdc(25±5℃)

　　耐电压:2Ur(DC)测试条件10s，t25±5℃，1Min

　　工作温度:-40~+85℃>吸收电容的作用 　　母线电感以及缓冲电路及其元件内部的杂散电感，对IGBT电路尤其是大功率IGBT电路，有极大的影响。因此，希望它愈小愈好。要减小这些电感，需从多方面入手。第一，直流母线要尽量地短；第二，缓冲电路要尽可能地贴近模块；第三，选用低电感的聚丙烯无极电容，与IGBT相匹配的快速缓冲二极管，以及无感泄放电阻；第四，其它有效措施。目前，缓冲电路的制作工艺也有多种方式：有用分立件连接的；有通过印制版连接的；更有用缓冲电容模块直接安装在IGBT模块上的。显然，最后一种方式因符合上述第二、第三种降感措施，因而缓冲效果最好，能最大限度地保护IGBT安全运行。

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