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闸流管是在阴极-阳极之间有一个或多个栅极、具有控制特性的热阴极充气管。 1、要有一定的预热时间。 2、闸流管灯丝电压要求稳定。 3、氢气要保证。 4、保证闸流管栅极电压的脉宽、幅度等参数符合要求。 5、闸流管需保持良好的通风散热状态。 6、随时监测闸流管工作时产生的声音和弧光。 栅极加上正向电压后,阴极发射出的电子便在电场的作用下向栅极运动。在运动过程中,电子不断与气体分子相碰撞,使部分气体分子电离,形成新的电子和离子。新的电子也向栅极运动,又会出现新的电离;而离子向阴极运动在适当的条件下就能在极短的时间内发生“雪崩式”过程,在阴极-栅极间形成等离子区(见气体放电)。这时,如阳极具有足够高的正向电压,那么,在阳极电场的作用下,等离子区里的部分电子将得到加速,在阳极-栅极空间使气体分子电离。极-栅极间的等离子区迅速扩展到阳极-栅极空间。这时,整个闸流管导通,栅极失去控制能力。只有在阳极电压降得很低,不足以维持放电电流时,放电才会熄灭。管子在放电熄灭以后还要经过一段消电离时间,待放电空间等离子区消失后,栅极才能恢复原来的控制功能,准备下一次工作。 静电控制闸流管的栅极加负偏压,信号电压加上后,阴极发射的部分电子穿过栅极进入阳极-栅极空间,在阳极电场的作用下产生“雪崩式”放电,使闸流管导通。 规则1为了导通闸流管(或双向可控硅),必须有门极电流≧IGT,直至负载电流达到≧IL。这条件必须满足,并按可能遇到的最低温度考虑。 规则2.要断开(切换)闸流管(或双向可控硅),负载电流必须<IH,并维持足够长的时间,使能回复至截止状态。在可能的最高运行温度下必须满足上述条件。 规则3.设计双向可控硅触发电路时,只要有可能,就要避开3+象限(WT2-,G+)。 规则4.为减少杂波吸收,门极连线长度降至最低。返回线直接连至MT1(或阴极)。若用硬线,用螺旋双线或屏蔽线。门极和MT1间加电阻1kΩ或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法,选用H系列低灵敏度双向可控硅。 规则5.若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起问题,在MT1和MT2间加入RC缓冲电路。若高dICOM/dt可能引起问题,加入一几mH的电感和负载串联。另一种解决办法,采用Hi-Com双向可控硅。 规则6.假如双向可控硅的VDRM在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出,采用下列措施之一:负载上串联电感量为几μH的不饱和电感,以限制dIT/dt;用MOV跨接于电源,并在电源侧增加滤波电路。 规则7.选用好的门极触发电路,避开3+象限工况,可以最大限度提高双向可控硅的dIT/dt承受能力。 规则8.若双向可控硅的dIT/dt有可能被超出,负载上最好串联一个几μH的无铁芯电感或负温度系数的 规则9.器件固定到散热器时,避免让双向可控硅受到应力。固定,然后焊接引线。不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧。 规则10.为了长期可靠工作,应保证Rthj-a足够低,维持Tj不高于Tjmax,其值相应于可能的最高环境温度。
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