去年年中，汉天下电子有限公司发布了全球首款单芯片GSM CMOS射频功放/前端芯片系列产品HS8292(U)/HS8269(U)，截止到2014年2月底前近9个月的时间累计出货量已经超过1亿颗！经过了近一年的市场严酷考验，HS8292(U)/HS8269(U)已经成功应用于包含展讯和联发科基带平台的各类手机中，成为2G功能机/智能机首选的射频功放/前端芯片解决方案， 目前已经占据全球2G功能机/智能机市场35%左右的份额，市场占有率世界第一。

HS8292(U)/HS8269(U)采用了先进的CMOS PA技术和功率合成技术，封装采用LGA Flip-Chip封装工艺，整个芯片只需要一颗Die，而传统的GSM GaAs功放/前端芯片一般会采用3-4颗Die才能实现，设计水平远超其他同类PA产品。HS8292(U)/HS8269(U)具有以下优点：

第一、采用标准CMOS工艺，由于CMOS ESD防护技术非常成熟，因而芯片具有优良的ESD防护性能，ANT端ESD防护能力在8kV以上；

第二、采用Flip-Chip焊接技术，与传统的GaAs PA通过银浆接地不同，不存在芯片受潮再焊接后的银浆脱落现象，芯片的防潮性能更好；

第三、经过严格的高低温负载牵引测试，鲁棒性高、性能稳定、品质可靠；

第四、采用单芯片CMOS PA来实现GSM射频前端芯片功能，性价比高，生产周期短，供货充足。

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