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英飞凌与GLOBALFOUNDRIES宣布围绕40纳米嵌入式闪存工艺展开合作

  发布时间:12-27

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核心提示:   英飞凌科技与GLOBALFOUNDRIES 公司今日宣布,双方围绕40纳米(nm)嵌入式闪存(eFlash)工艺,签订一份合作技术开发与生

 

   英飞凌科技与GLOBALFOUNDRIES 公司今日宣布,双方围绕40纳米(nm)嵌入式闪存(eFlash)工艺,签订一份合作技术开发与生产协议。双方合作的重点是立足于英飞凌的嵌入式闪存单元设计以及采用40纳米工艺制造汽车单片机和安全微控制器(MCU)的经验,进行相关技术的开发。GLOBALFOUNDRIES 公司旗下的多家晶圆厂将生产新一代40纳米嵌入式闪存MCU,其中新加坡的晶圆厂将成为第一个生产该类器件的晶圆厂,紧随其后的是公司位于德国德累斯顿的晶圆厂。

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